Аспирантка Института физики полупроводников СО РАН Алина Герасимова создала элементы энергонезависимой резистивной памяти

«Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти », — делится младший научный сотрудник Алина Герасимова.

За соединений для создания энергонезависимой резистивной памяти выпускницы НГТУ НЭТИ отмечены премией мэрии а, и аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, выпускница НГТУ НЭТИ Алина Герасимова стала лауреатом конкурса мэрии а на присуждение премии в сфере науки и инноваций.

Научная работа посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: со информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объем.

«Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти . Благодаря использованию методов рентгеновской электронной оскопии, альной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов. Новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти , что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики», — объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.

  Ученые обнаружили новый гигантский вид динозавра

Конкурс на присуждение премии мэрии города а в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей.

Справка: Алина Герасимова окончила факультет радиотехники и электроники НГТУ НЭТИ в 2015 году, работает в ИФП СО РАН с 2012 года, неоднократно выступала на международных и российских х, результаты ее совместных с коллегами исследований опубликованы в научных журналах: MaterialsResearchExpress, Nanotechnology, Advanced Electronic Materials и других. В 2019 году А. Герасимова стала стипендиаткой Правительства РФ. Сейчас молодой ученый планирует провести несколько ов, связанных с электрофизическими измерениями выращенных соединений. Результаты всего комплекса работ лягут в основу кандидатской диссертации Алины.

Читайте наш Телеграм-канал https://t.me/ieport_new

Еще по теме:

  Столкновение Млечного Пути с другой галактикой может происходить прямо сейчас
Pin It

Добавить комментарий